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      EEPW首页 > 网络与存储 > 业界动态 > 东芝和西数正研发128层3D NAND闪存:最早2020年上市

      东芝和西数正研发128层3D NAND闪存:最早2020年上市

      作者:时间:2019-03-08来源:IT之家收藏

        根据外媒的报道,及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D 闪存。在的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。

      本文引用地址:http://www.ytvs.tw/article/201903/398321.htm

        

        据介绍,芯片将实现TLC,而不是更新的QLC。这可能是因为闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512 Gb,新的128层芯片的容量比96层芯片多33%,可以在2020到2021年实现商业化生产。


        据报道,新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB / s。据报道,该芯片还采用了CuA(阵列电路),这是一种设计创新,节省了15%的芯片尺寸。



      关键词: 东芝 西数 NAND

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