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      MRAM將改變半導體市場的格局?三星已開始大量生產

      作者:時間:2019-03-08來源:網絡收藏

        據報道,已開始生產磁阻隨機存取存儲器()。預計將改變半導體市場的格局,因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點。

      本文引用地址:http://www.ytvs.tw/article/201903/398326.htm

        3月6日宣布,已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規模生產和商業運輸嵌入式(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式,標志著新內存產品的首次發貨。

        這種解決方案無需在數據記錄期間擦除數據,并實現了比傳統閃存快1000倍左右的寫入速度。表示,由于它在斷電時保存了存儲的數據,并且不使用額外的備用電源,所以它的功耗也很優秀。

        三星將FD-SOI工藝與嵌入式設計技術相結合。在FD-SOI工藝中,硅片上覆蓋一層絕緣膜,在頂部形成晶體管。它的特點是大大降低了晶體管運行過程中產生的漏電流。該公司在FD-SOI進程中添加了嵌入式內存技術。嵌入式存儲技術是一種存儲模塊,用于小型電子設備的微控制器單元(MCU)和片上系統(SoC)等系統半導體中存儲信息。

        三星電子表示,該解決方案結構簡單,可以通過在當前基于邏輯流程的設計中添加最少的層數來實現,從而減輕了公司進行新設計的負擔,并降低了生產成本。三星計劃擴大其嵌入式內存解決方案,從今年生產1塊Gbe MRAM測試芯片開始。

        行業分析師表示,隨著eMRAM的推出,三星將增加其代工銷售,同時增強其在代工方面的競爭力,以確保在未來半導體市場占據領先地位。

        三星計劃明年推出18納米FD-SOI eMRAM工藝。



      關鍵詞: MRAM 三星

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