<th id="nb95r"><meter id="nb95r"><dfn id="nb95r"></dfn></meter></th>
    <nobr id="nb95r"><menuitem id="nb95r"><var id="nb95r"></var></menuitem></nobr>

    <listing id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></listing>
    <thead id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></thead>
    <font id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></font>
    <sub id="nb95r"><menuitem id="nb95r"></menuitem></sub>

    <sub id="nb95r"><meter id="nb95r"><dfn id="nb95r"></dfn></meter></sub>

      <thead id="nb95r"></thead>

      <sub id="nb95r"><meter id="nb95r"><cite id="nb95r"></cite></meter></sub>

      新闻中心

      EEPW首页 > 网络与存储 > 市场分析 > 集邦咨询:DRAM均价受库存尚未去化完成影响,跌势恐将?#20013;?#33267;下半年

      集邦咨询:DRAM均价受库存尚未去化完成影响,跌势恐将?#20013;?#33267;下半年

      作者:时间:2019-03-25来源:电子产品世界收藏

        Mar. 25, 2019 ---- 半导体研究中心(eXchange)指出,受库存过高影响,第一季合约价跌幅?#20013;?#25193;大,整体均价已下跌逾20%。然而价格加速下跌并未刺激需求回温,预计在库存尚未去化完成的影响下,均价跌势恐将?#20013;?#33267;第三季。

      本文引用地址:http://www.ytvs.tw/article/201903/398828.htm

        根据DRAMeXchange调查,DRAM供应商累积的库存水位在第一季底已经普遍超过六周 (含wafer bank),而买方的库存水位虽受到不同产品别的影响略有增减,但平均至少达五周,在服务器?#32422;癙C客户端甚至超过七周。

        进入第二季,受惠于1Ynm制程贡献,供给位元仍?#20013;?#25104;长。在极力消化库存的考量下,DRAM供应商普遍采取?#20013;?#22823;幅?#23548;?#30340;策略以刺激销售。与第一季相似,跌幅最大的产品别为PC与服务器内存,跌幅约两成。而行动式内存受惠于新机潮的拉货动能跌幅较小,约10~15%,预估DRAM均价在第二季将?#20013;?#19979;跌近两成水位。

        至于今年下半年跌幅是否有效收敛,则取决于需求?#35828;?#22238;温?#32422;?#31532;二季底库存去化的?#23578;АRAMeXchange分析,2019年各产品的DRAM平均搭载容量成长表现将不若去年,因此,终端需求的回温是DRAM景气是否落底的关键因素。单纯就供需预测来看,上半年供过于求的?#32431;?#36828;高过下半年,预期价格跌幅在今年第三季与第四?#31350;?#26395;逐渐收敛。

        PC、服务器用DRAM 2Q跌价幅度未见收敛,行动内存跌幅趋缓

        观察DRAM各应用别今年的价格走势,由于库存水位较高的关系,自去年第四季以来,以标准型内存与服务器内存的跌幅最为明显。以PC需求面来说,今年缺乏刺激出货量成长的因素,再加上Intel CPU缺货?#32431;?#22312;中低阶机种仍未?#33322;猓?#20351;得出货不振的?#32431;?#22312;上半年特别显著。以主流标准型内存模组8GB解决方案来看,第一季度的价格已经下滑近三成,最低价已落在近40美元。展望第二季,均价?#20013;?#19979;探35美元,年底恐怕要挑战30美元关卡。

        服务器在经历连续两年的需求高峰后,第一季由于库存偏高,加上进入传统OEM的淡季,备货动能显著衰退。虽然三月开始,部分北美资料中心业者开始陆续洽单,但整体采购力道仍未明显?#27492;鍘?#20877;者,现阶段供需双方普遍库存偏高,在既有库存去化与需求动能?#25351;?#21069;,预估服务器内存价格将?#20013;?#36208;跌。DRAMeXchange预估,第二季仍将有两成左?#19994;?#36300;幅,第三与第四季也会维持接近一成左?#19994;慕导?#31354;间。

        在行动内存方面,第一季受到智能手机市场需求不旺,生产总量较去年同期衰退逾10%的影响,行动内存供应商库存无法有效去化,导致价格?#20013;?#19979;探,discrete?#32422;癳MCP产品平均跌幅接近2成,市场报价混乱。

        展望第二季?#32422;?#31532;三季,除了受惠Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升外,也同时受惠传统市场旺季,整体需求将转趋热络,预估合约价跌幅将较第一季收敛,不过考虑到今年智能手机总生产数量将呈?#25351;?#25104;长,中、低?#36164;?#26426;平均搭载容量成长有限,第二、三季的合约价格依旧难以止跌。

        而就利基型存储器价格走势来看,农历假期过后,中国有部分机上?#23567;?#32593;通标案订单出现带动小量拉货需求,然一次性标案结束后,整体需求仍然疲软。DDR3供给仍高于需求的情况下,预期今年第二季与三季利基型存储器价格仍将分别走跌15%与10%。



      关键词: 集邦咨询 DRAM

      评论

      技术专区

      关闭
      v98彩票是不是骗局

        <th id="nb95r"><meter id="nb95r"><dfn id="nb95r"></dfn></meter></th>
        <nobr id="nb95r"><menuitem id="nb95r"><var id="nb95r"></var></menuitem></nobr>

        <listing id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></listing>
        <thead id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></thead>
        <font id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></font>
        <sub id="nb95r"><menuitem id="nb95r"></menuitem></sub>

        <sub id="nb95r"><meter id="nb95r"><dfn id="nb95r"></dfn></meter></sub>

          <thead id="nb95r"></thead>

          <sub id="nb95r"><meter id="nb95r"><cite id="nb95r"></cite></meter></sub>

            <th id="nb95r"><meter id="nb95r"><dfn id="nb95r"></dfn></meter></th>
            <nobr id="nb95r"><menuitem id="nb95r"><var id="nb95r"></var></menuitem></nobr>

            <listing id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></listing>
            <thead id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></thead>
            <font id="nb95r"><meter id="nb95r"></meter></font>
            <sub id="nb95r"><menuitem id="nb95r"></menuitem></sub>

            <sub id="nb95r"><meter id="nb95r"><dfn id="nb95r"></dfn></meter></sub>

              <thead id="nb95r"></thead>

              <sub id="nb95r"><meter id="nb95r"><cite id="nb95r"></cite></meter></sub>